Главная    Почта    Новости    Каталог    Одноклассники    Погода    Работа    Игры     Рефераты     Карты
  
по Казнету new!
по каталогу
в рефератах

Классификация оперативной памяти

стр.
166—.]:
   8. Direct Rambus Controller.
   9. Direct Rambus Channel.
  10. Direct Rambus Connector.
  11. Direct Rambus RIMM(tm).
  12. Direct Rambus DRAMs.
Рассмотрим эти компоненты поподробнее:
1.  Контроллер  Direct  Rambus  —это  главна  шина  подсистемы  памяти.   Он
помещается на чипе логики,  как  и  PC-чипсет,  микропроцессор,  графический
контроллер.   Физически   можно   поместить   до   четырех   Direct   Rambus
—контроллеров на одном чипе логики. Контроллер —это  интерфейс  между  чипом
логики и памятью Rambus, и в  его  обязанности  входит  генерация  запросов,
управление потоком данных, и ряд других функций.
2. Direct Rambus  Channel  создает  электрические  соединения  между  Rambus
Controller и чипами Direct RIMM. Работа канала основана на  30-ти  сигналах,
составляющих высокоскоростную шину. Эта шина работает на частоте 400 МГц  и,
за счет передачи данных  на  обеих  границах  тактового  сигнала,  позволяет
передавать данные на 800 МГц. Два канала  данных  (шириной  в  байт  каждый)
позволяет получать пиковую  пропускную  способность  в  1,6  Гбайт/с.  Канал
соответствует форм-фактору SDRAM.
3. Разъем Direct Rambus —это разъем со 168 контактами. Контакты  расположены
на двух сторонах модуля, по 84 с каждой стороны. Разъем  представляет  собой
низкоиндуктивный интерфейс  между  каналом  на  модуле  RIMM  и  каналом  на
материнской плате.
4. Модуль RIMM — это модуль памяти, который включает в

себя один или более чипов и организует непрерывность  канала.  По  существу,
RIMM образует непрерывный  канал  на  пути  от  одного  разъема  к  другому.
Поэтому оставлять свободные разъемы недопустимо
Существуют  специальные  модули  только  с  каналом,  называемые  continuity
modules.  Они  не  содержат  чипов  памяти  и  предназначены  для  заполнени
свободных посадочных мест.
Модули RIMM имеют размеры, сходные с геометрическими размерами SDRAM  DIMMs.
Модули RIMM поддерживают SPD,  которые  используются  на  DIMM'ах  SDRAM.  В
отличие от SDRAM DIMM, Direct  Rambus  может  содержать  любое  целое  число
чипов Direct RDRAM (до максимально возможного).
Один канал Direct Rambus максимум может  поддерживать  32  чипа  DRDRAM.  На
материнской плате может использоваться до трех  RIMM  модулей.  Используются
64 Мбит, 128 Мбит и 256 Мбит устройства.
Чтобы расширить память сверх 32-х устройств, могут использоваться  два  чипа
повторителя. С одним повторителем канал может поддерживать 64  устройства  с
6-ю RIMM модулями, а с двумя —128 устройств на 12 модулях.
5.  Чипы  DRDRAM.  Чипы   DRDRAM   составляют   часть   подсистемы   Rambus,
запоминающие данные. Все устройства в  системе  электрически  расположены  в
канале между контроллером и терминатором.  Устройства  Direct  Rambus  могут
только отвечать на запросы контроллера, который делает их  шину  подчиненной
или отвечающей. Устройства включают в себя статическое и динамическое ОЗУ.
4. Оперативная кэш-память.
Как  уже  отмечалось,  для  динамической   оперативной   памяти   необходима
периодическая   ее   регенерация.    В    компьютере    это    осуществляетс
централизовано:  организуется   цикл   прямого   чтения/записи   содержимого
динамического  ОЗУ.  Эта  операция  осуществляется  с  помощью   специальной
микросхемы.  В  процессе  регенерации  микропроцессор  переходит   в   режим
ожидания, что снижает производительность системы не менее чем на 5%.
Минимальный цикл обращени микропроцессора к оперативной  памяти  состоит  из
двух состояний шины. Подсчитано, что около 70% всех обращений  процессора  к
шине компьютера составляет чтение команд, 20% — чтение и  запись  данных,  и
только оставшиеся  10%  составляют  обращения  к  устройствам  ввода-вывода.
Поэтому введение даже одного  состояния  ожидания  при  обращении  к  памяти
значительно   снижает   производительность   компьютера.   Таким    образом,
существенный рост быстродействия системы может  быть  достигнут  только  при
сбалансированной работе подсистемы памяти.
Для  старых  персональных  компьютеров  (на  основе  микропроцессоров  Intel
i8088,  i8086,  i80286  и  процессоре   i80386/20   МГц)   была   характерна
одноуровневая система организации памяти. По этой системе разработчики  были
вынуждены устанавливать дешевые DRAM с  быстродействием  80  —120  нс,  либо
применять дорогостоящие SRAM с быстродействием  40  —60  нс.  Для  сокращени
среднего   времени   ожидания   при   обращении   к   операционной   системе
использовались (и используются в  настоящее  время)  методы  интерливинга  и
страничной организации.
                 Рис. B.4.1. Система с интерливингом памяти.
В системе с интерливингом —расслоением  адресов  ячеек  памяти  —весь  объем
памяти  делится   на   два   или   несколько   банков.   Двойные   слова   с
последовательными  адресами  располагаются  в  разных   банках.   Во   время
считывания информации из оперативной памяти за один цикл можно  организовать
параллельное  извлечение  информации  из  разных   блоков,   что   уменьшает
количество циклов ожидания.
Преимущество  систем   с   интерливингом   проявляется   при   обращении   к
последовательным  ячейкам  и  считывании  сразу  32-х  бит   информации.   В
противном случае интерливинг не дает никаких преимуществ.
            Рис. B.4.2. Система со страничной организации памяти.
В  системах  со  страничной  организацией  памяти  вся  память  делится   на
фиксированные по размеру  зоны  адресов  —страницы.  Обращение  к  памяти  в
пределах страницы  происходит  без  ожидания,  а  при  смене  страницы  —как
обычно, с состояниями ожидания.
При страничной  организации  память  делится  на  строки  и  столбцы.  Адрес
обращения к двойному слову содержит  9-ти  разрядный  номер  строки  и  9-ти
разрядный номер столбца. При  обращении  к  странице  сигнал  выбора  номера
строки поддерживается неизменным, а сигнал выбора столбца переставляется  на
столбец, откуда нужно прочитать данные.
Страничная  организация  памяти  требует   для   своей   реализации   особые
микросхемы. Они имеют специальный режим – страничный доступ  со  статической
выборкой столбцов (static column decode).
Для    полной    реализации    потенциальных     скоростных     возможностей
микропроцессоров  используется  многоуровневая  иерархическа   память.   Она
включает в себя быстродействующую кэш-память – SRAM. Кэш-память  состоит  из
памяти данных, построенная на микросхемах SRAM, и контроллера кэша.  В  кэш-
памяти  хранитс  информация,  копируемая  из  основной  оперативной  памяти.
Каждый раз при обращении  микропроцессора  к  памяти  контроллер  кэш-памяти
проверяет наличие данных в кэше. Если эти данные в кэше есть  (“попадание”),
то микропроцессор получает данные из кэша. Если этих данных нет  (“промах”),
выполняется обычный цикл обращения к оперативной памяти DRAM.
Основным фактором, определяющим вероятность попадания, является емкость кэш-
памяти. Как правило, при  объеме  кэша  в  2  Кбайта  вероятность  попадания
составляет  от  50  до  60%.  Поскольку  размер  кэш-памяти  на  современных
компьютерах превышает 256 Кбайт, то вероятность  попадания  будет  выше  90%
(дл компьютеров с объемом памяти ~ 16 Мбайт.)
Для  реализации  кэш-памяти  в  настоящее  время   разработаны   эффективные
однокристальные  контроллеры.  Наиболее  широкое   распространени   получили
контроллеры i82385 фирмы Intel и A38152 фирмы Asustec Microsystems.
Контроллер i82385 поддерживает 32 Кбайта  кэш-памяти,  и  может  работать  в
двух конфигурациях:
  13. Кэш-память с прямым отображением.
  14. Двухканальная модульно-ассоциативна кэш-память.
Первая  конфигурация  характеризуетс  простотой   реализации,   однако   она
оказываетс  неэффективной  при   работе   в   мультизадачных   системах.   В
двухканальной  реализации  кэш-память  разбивает  все  4  Гбайтное  адресное
пространство на 262144 страницы  по  16  Кбайт.  32-х  разрядный  физический
адрес состоит из четырнадцатиразрядного адреса, определяющего  информацию  в
кэш-памяти, и восемнадцатиразрядного  тега,  определяющего  номер  страницы.
Каждый адрес оперативной памяти может быть отображен в одну  из  двух  ячеек
кэш-памяти. На рисунке B.4.3 рассматриваетс образование  физического  адреса
в двухканальной модульно-ассоциативной памяти.

         Рис. B.4.3. Двухканальна модульно-ассоциативная кэш-память.
Особенность контроллера кэш-памяти –  обеспечение  возможности  параллельной
работы микропроцессора с кэш-памятью и периферийных устройств с  оперативной
памятью в режиме прямого доступа. При записи данных по адресам,  находящихся
в кэше, контроллер ликвидирует копии этих  блоков  в  кэше.  Всю  работу  по
синхронизации данных в DRAM и кэше берет на себя этот контроллер.
Однокристальный контроллер кэш-памяти фирмы  ASUSTEC,  совместно  с  памятью
данных  32  Кбайта  обеспечивает  вероятность  попадания  более   95%.   Это
достигается    благодаря    использованию    четырехканального     модульно-
ассоциативного обращения, который  отображает  адрес  оперативной  памяти  в
одну  из  четырех  ячеек  кэш-памяти.  При  этом,   вследствие   организации
последовательного обращения к  памяти  данных,  требуется  подключени  всего
одного банка памяти данных.
Контроллер A38152 фирмы Asustec имеет  аппаратные  и  программные  средства,
обеспечивающие связанность информации: логика  слежения  за  шиной,  которая
обеспечивает ликвидацию копий блоков в кэш-памяти, задани  области  адресов,
не отображаемой в кэш-память (например,  для  сопроцессора  фирмы  Weitec  и
устройств ввода/вывода).
На  многих  материнских  платах  можно  выбирать  между  одноуровневой   или
многоуровневой системами организации памяти.  По  умолчанию  устанавливается
ражим многоуровневой памяти. Если Вы установите режим одноуровневой  памяти,
то кэш-память SRAM просто  добавляется  к  
1234
скачать работу

Классификация оперативной памяти

 

Отправка СМС бесплатно

На правах рекламы


ZERO.kz
 
Модератор сайта RESURS.KZ