Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти
pre>
С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончит
выполнение своих внутренних операций, которые обычно занимают около 60 нс.
С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации от
процессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса,
сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другие
задачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, и
процессор может считывать их с выходных линий.
Другое преимущество синхронного интерфейса заключается в том, что
системные часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Это
исключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов. В
результате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могут
быть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобные
преимущества также реализованы и в операциях вывода.
Типы высокоскоростной памяти
Всю память с произвольным доступом (RAM) можно разделить на два типа:
DRAM (динамическая RAM) и SRAM (статическая RAM).
К первому поколению высокоскоростных DRAM главным образом относят EDO
DRAM, SDRAM и RDRAM, а к следующему - ESDRAM, DDR SDRAM, Direct RDRAM,
SLDRAM (ранее SynchLink DRAM) и т. д.
SDRAM
SDRAM способна работать на частоте, превышающей частоту работы EDO
DRAM. В первой половине 1997 г. SDRAM занимала примерно 25% всего рынка
DRAM. Как и предполагалось, к 1998 г. она стала наиболее популярной из
существующих высокоскоростных технологий и занимала более 50% рынка памяти.
Первоначально SDRAM работала на частоте от 66 до 100 МГц. Сейчас существует
память, работающая на частотах от 125 до 143 МГц и даже выше.
[pic]
Модуль SDRAM на 256Мбайт
Enhanced SDRAM (ESDRAM)
Для преодоления некоторых проблем с задержкой сигнала, присущих
стандартным DRAM-модулям, производители решили встроить небольшое
количество SRAM в чип, т. е. создать на чипе кэш. Одним из таких решений,
заслуживающих внимания, является ESDRAM от Ramtron International
Corporation.
ESDRAM - это по существу SDRAM плюс немного SRAM. При малой задержке и
пакетной работе достигается частота до 200 МГц. Как и в случае внешней кэш-
памяти, DRAM-кэш предназначен для хранения наиболее часто используемых
данных. Следовательно, уменьшается время доступа к данным медленной DRAM.
DDR SDRAM (SDRAM II)
DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью,
реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычной
SDRAM.
DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует метод
управления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM.
[pic]
Наклейка соответствия модуля спецификации SDRAM PC100
DDR SDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы на
обеих границах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работает
только на одной.
SLDRAM
Стандарт SLDRAM является открытым, т. е. не требует дополнительной
платы за лицензию, дающую право на производство чипов, что позволяет
снизить их стоимость. Подобно предыдущей технологии, SLDRAM использует обе
границы тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимает
протокол, названный SynchLink Interface. Эта память стремится работать на
частоте 400 МГц.
У всех предыдущих DRAM были разделены линии адреса, данных и
управления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств.
Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях все
сигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являются
технологии SLDRAM и DRDRAM. Они получили наибольшую популярность и
заслуживают внимания.
[pic]
Модуль памяти DRDRAM
RDRAM (Rambus DRAM)
RDRAM представляет спецификацию, созданную Rambus, Inc. Частота работы
памяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигнала
достигается частота, эквивалентная 800 МГц. Спецификация Rambus сейчас
наиболее интересна и перспективна.
Модули от Rambus, Inc.
Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память с
произвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокую
пропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. Direct
Rambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию.
Работа Direct RDRAMtm определяется требованиями подсистемы Direct
Rambus. Для понимания деталей спецификации Direct Rambus DRAM необходимо
понять подсистему памяти Rambus в целом.
Direct Rambus Memory System
Подсистема памяти Direct Rambus включает следующие компоненты:
. Direct Rambus Controller
. Direct Rambus Channel
. Direct Rambus Connector
. Direct Rambus RIMM(tDm)
. Direct Rambus DRAMs
Физические, электрические и логические части всех этих компонентов
определены и специфицированы Rambus, Inc. Это требуется для совместимости и
высокоскоростной работы подсистемы Direct Rambus.
Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развития
памяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте
150 МГц и обеспе
| | скачать работу |
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти |