Плёночные и гибридные интегральные схемы
, керамических, слюдяных и электролитических), для
горизонтальной и вертикальной установки.
Рис. 1. Конструктивные формы конденсаторов
а - защищенный керамической трубкой; б - цилиндрический
свободнонесущий; в - цилиндрический в стаканчике; г - трубчатый; д -
пластинчатый; е - трапециевидный; ж - цилиндрический вертикальный; з
- с цоколем; и - конденсатор с выводами зажимами; к - рулонный с
сердечником из полиамида; л – призматический
У резисторов примерно такое же исполнение.
При монтаже необходимо предупреждать повреждения защитного слоя
лака; при формовке выводов изгиб не должен быть ближе двух диаметров
(толщин) вывода из-за возможной разгерметизации. При пайке
электролитических конденсаторов необходимо у плюсового вывода
обеспечивать теплоотвод. Пленочные и металлопленочные конденсаторы
чувствительны к действию растворителей. При пайке выводов возможно
также повреждение из-за перегрева навесных элементов.
Монтаж диодов и транзисторов. Внешне эти навесные элементы
гибридных ИС (рис.2) незначительно различаются и способы их монтажа
почти не отличаются.
При формовке выводов расстояние до корпуса от места начала изгиба
должно быть большее или равно 1,5-3 мм, расстояние до мощных
тепловыделяющих элементов выбирать возможно больше, температура пайки
не более 245°С, время пайки – < 5с.
Рис. 2. Конструктивные формы диодов и транзисторов
а – транзистор в круглом корпусе; б – транзистор в пластмассовом
корпусе; в – мощный транзистор; г – диод в круглом корпусе; д – диод
в пластмассовом корпусе; е – диод в стеклянной оболочке; ж – мощный
выпрямительный диод; з – диодная сборка
Интегральные пленочные резисторы используются в тканных
устройствах коммутации.
Печатная плата с интегральными пассивными элементами:
Рис. 3.
На рисунке 3 обозначено:
1. микросхемы
2. интегральные пленочные резисторы
3. межслойная пленочная коммутация
4. емкостные слои.
Итак, ни тонко-, ни толстоплёночная технология не обеспечивают
выполнение всех требований схемотехники, так как они обеспечивают
изготовление только пассивных элементов и проводников без активных
элементов. В полупроводниковых ИМ пассивные элементы возникают как
побочный продукт, их характеристики хуже, чем у дискретных элементов.
Ограниченные линейность, температурная стабильность и большой допуск
на значение номиналов резисторов и конденсаторов ограничивают
применение полупроводниковых ИМ, однако, отдельные свойство тонко- и
толстоплёночных микросхем хорошо дополняют друг друга; комбинация их
обеспечивает создание высококачественных микросхем, как уже
упоминалось в данной работе при описании гибридно-пленочных
интегральных микросхем,которые реализуются при монтаже дискретных
бескорпусных элементов или полупроводниковых ИМ в интегральные тонко-
или толстоплёночные схемы
Достоинства гибридных микросхем:
-возможность предварительного выбора дискретных элементов,
-низкую стоимость подложек и возможность применения значительно
больших номиналов тонкоплёночных конденсаторов и мощных резисторов.
Недостатком является дополнительные контактные площадки для
монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИМ, которые можно
выполнить по тонкоплёночной технологии.
Гибридные ИМ реализуют на специально разработанных элементах,
совместимых с плоской подложкой тонкопленочной микросхемы
(транзисторы с балочными и шариковыми выводами); распространена
установка транзисторов в керамические фасонные корпуса с четырьмя
металлизированными участками, которые связаны с выводами транзистора
тонкими проволоками. Недостаток специальной формы - невозможность
перекрещивания проводов.
Навесные элементы монтируют часто в гибридные микросхемы пайкой.
Припой либо предварительно наносят на контактные площадки, либо
поступает на место пайки на луженых выводах; чаще всего припой в виде
пасты наносят на контактные площадки способом трафаретной печати.
Для защиты от внешних воздействий гибридные ИС герметизируют
пластмассой или помещают в герметические металлические, стеклянные и
керамические корпуса.
V. Совмещенные интегральные микросхемы.
Отличительной особенностью совмещенных ИМ является применение
дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с
кремнием, его двуокисью и чистыми металлами для межэлементных
соединений, а также независимость принципа действия тонкоплёночных
элементов от кремния, так как вместо изоляции p-n переходом
используют более совершенную изоляцию плёнками двуокиси кремния.
Выход годных из-за большого числа операций уменьшается. Слои
осаждают способами термовакуумного осаждения или катодного
распыления, рисунок фотолитографией или на основе применения
свободных масок.
Наибольшие технологические трудности возникают из-за
температурных нагрузок при термокомпрессии и креплении кристалла к
основанию корпуса (может измениться номинал тонкоплёночных
интегральных элементов.
VI. Многокристальные гибридные интегральные
микросхемы.
Для повышения плотности монтажа и улучшения контактирования
объединяют в одном корпусе несколько тонкоплёночных и бескорпусных
полупроводниковых ИМ, выполненных на различных подложках, в один
общий корпус - в многокристальную ИМ. Это часто повышает выход годных
изделий.
Преимущество такой ИМ - в возможности предварительного подбора
отдельных элементов или микросхем, что определят большую гибкость на
этапе проектирования.
Недостатки - большие затраты ручного труда при монтаже в
крупносерийном производстве, поэтому нецелесообразно применение
многокристальных ИМ в мелкосерийном и опытном производстве и при
изготовлении специальных ИМ.
Список использованной литературы.
1. Технология и автоматизация производства радиоэлектронной
аппаратуры / И.П. Бушминский, О.Ш. Даутов и др.: Под. ред. А.Н.
Достанко и Ш.М. Чибдарова. - М: Радио и связь, 1989.- 624 с.: ил.
2. Ханке Х.-И.,Фабиан Х. Технология производства
радиоэлектронной аппаратуры: Пер. с нем./ Под ред. В.Н.Черняева.- М.:
Энергия,1980. - 464 с.; ил.
3. Иванов Ю.В., Лакота Н.А. Гибкая автоматизация производства
РЭС с применением микропроцессоров и роботов. -М.: Радио и
связь,1987.-464 с.: ил.
4. Технология ЭВА, оборудование и автоматизация / Алексеев В.Г.,
Билибин К.И., Нестеров Ю.И. и др. - М.: Высшая школа,1984.- 392 с.:
ил.
5. Сагателян Г.Р., Осипков В.П. Исследование процесса
формообразования на примере операции шлифования и полирования основы
и ферролакового покрытия жестких магнитных дисков памяти ЭВМ: Метод.
указания для выполнения лабораторной работы...- М.: Изд-во МГТУ им.
Н.Э. Баумана, 1995.-32 с.: ил.
| |  скачать работу |
Плёночные и гибридные интегральные схемы |
