Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC
ажденного слоя удалять. Это производится или
сошлифовыванием на алмазном порошке, или травлением при высокой температуре
в смеси хлор + кислород с применением окисных масок, получаемых термическим
окислением Для окисления и травления в хлоро-кислородных смесях
используются две футерованные кварцем горизонтальные трубчатые печи с
пропорциональными регуляторами температуры.
Структура и морфология слоев ?-SiC, осажденных из газовой фазы
При температурах выше 1400° С и низких скоростях осаждения осадки ?-
SiC, как правило, эпитаксиальные; ниже 1400° С в осадках встречаются
беспорядочно ориентированные частицы ?-SiC. Эти результаты получаются при
использовании как CH3SiCl3, так и смесей SiH4 + C3H8. Однако эпитаксиальные
осадки, получаемые в различных условиях, сильно различаются по
совершенству. На гранях (111) («кремниевых») получены гладкие
эпитаксиальные осадки толщиной больше 30 мкм. Характерной особенностью
морфологии эпитаксиальных осадков на этих гранях является наличие низких
треугольных ступенчатых образований. Главными несовершенствами являются
шестиконечные звездообразные холмики; они образуются только на гранях (111)
(«углеродных»). Эти холмики, по-видимому, обусловлены двойникованием. В
случае пленок, осажденных на гранях (111), как правило, при низких
температурах получается неровная или матовая поверхность, на которой
холмики настолько многочисленны и малы, что не поддаются разрешению в
оптическом микроскопе; с увеличением температуры осаждения индивидуальные
холмики, образующие матовую поверхность, увеличиваются в размере, а число
их уменьшается. При использовании графитовых подставок индивидуальные
холмики роста обычно можно наблюдать только на осадках, получаемых при
температурах ~ 1600° С и выше. При использовании подставок из вольфрама,
дисилицида вольфрама и карбида вольфрама шероховатость поверхности пленок
SiC, осаждаемых при 1700° С, такая же, как в случае пленок, выращенных на
графитовых подставках при 1400° С (тонкая матовая текстура, в которой
невозможно различить отдельные холмики вследствие их маленького размера и
большой поверхностной плотности).
В присутствии примесей или при низких температурах холмики
зарождаются гораздо чаще, чем при отсутствии примесей или когда осаждение
производится при более высоких температурах. Возникновению холмиков
способствует введение в газовую фазу В2Н6 или паров А1С13 в количестве,
достаточном для выращивания SiC n-типа. Увеличение количества холмиков и
образование матовой поверхности происходит также, если перед осаждением в
испаритель с CH3SiCl3 попадает небольшое количество воздуха.
Исследование структуры осажденных слоев SiC производится с помощью
метода электронной дифракции на отражение. В этом методе используется
электронный луч, направленный (параллельно главной габитусной поверхности
{111} пластинки SiC) таким образом, что он едва касается исследуемого
кристалла. Когда луч пересекает материал на поверхности, происходит
дифракция электронов; следовательно, получаемая информация касается только
внешней области осадка. Используются также и рентгеновское исследование,
однако получаемая при этом дифракционная картина по большей части слишком
сложна и несет в себе меньше информации, чем электронно-дифракционная
картина.
Ребра пластинок ?-SiC параллельны направлениям <110>. Вращение
кубического кристалла вокруг оси, перпендикулярной наиболее развитой грани
пластинки, т. е. вокруг направления <111>, приводит к совпадению
направления электронного луча с некоторыми из осей, принадлежащих
семействам <110>, <112> и <123>; если осадок ориентирован относительно
подложки строго эпитаксиально, при каждом таком совпадении будет
наблюдаться соответствующая дифракционная картина. Так как положение
направлений <110> подложки может быть установлено визуально по положению
столика электронного микроскопа, эпитаксиальный характер осадка может быть
подтвержден появлением каждой из указанных дифракционных картин при
правильной ортогональной ориентации электронного луча. Это было проделано
для полученных пленок. Кроме того, наблюдаемые дифракционные пятна
соответствуют узлам обратной решетки ?-SiC.
На электронограммах <220> часто наблюдаются добавочные пятна,
обусловленные двойникованием в осадке. Перемещение кристалла относительно
луча в боковом направлении показывает, что степень двойникования на
различных участках поверхности оказывается разной.
Дифракционные картины, ортогональные оси <220>, лежащей в
плоскости (-1-1-1), имели вид, показанный (в форме проекции обратной
решетки) на фиг. 2. Подобная картина получается при наличии двойникования
по плоскостям {111}. Лишние пятна располагаются в позициях, отстоящих на
одну треть и две трети расстояния между основными пятнами. Это указывает на
то, что двойникование имеет место как по плоскостям, параллельным главной
габитусной грани подложки (-1-1-1), так и по плоскостям (-11-1), наклонным
к этой грани (двойники второго порядка).
Поскольку электронно-дифракционное исследование поверхности
эпитаксиальных пленок показывает, что в осадках с матовой поверхностью
имеет место двойникование первого порядка (параллельно главной габитусной
плоскости (-1-1-1) подложки и осаждаемого слоя) и в несколько меньшей
степени — второго порядка, звездообразные холмики предположительно
отождествлены с этим двойникованием. Однако в нескольких случаях
рентгеновское исследование (методом качания) эпитаксиальных пленок,
выращенных при 1600° С, показывает наличие следов гексагонального SiC.
Шестиконечная форма холмиков на поверхности осадка может быть следствием и
гексагональной симметрии ?-SiC, и тройной симметрии ?-SiC (при
октаэдрической ориентации кристалла). В обоих случаях холмики имеют
ориентацию относительно подложки, отвечающую эпитаксиальному росту.
Эти холмики, по-видимому, зарождаются во время роста пленки, а не на
поверхности раздела подложка — осадок, так как при оптимальных условиях
роста холмики обычно появляются лишь после долгого периода роста гладкой
пленки.
Заключение
Вообще говоря, никогда нельзя заранее знать, какой политип получится.
Даже при казалось бы абсолютно одинаковых условиях многократно
повторяющегося опыта, иногда получаются разные политипы SiC.
Список использованной литературы:
. "Карбид кремния", под ред. Г.Хениша, издательство "Мир", Москва
1972
. "Карбид кремния", под ред. И.Н.Францевича, Киев 1966
. Курс лекций "Материалы и компоненты электронной техники"
В.А.Зыкова
| |  скачать работу |
Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC |
