Жидкостное химическое травление

 подложке являются, возможно, наиболее важными параметрами резистного
   литографического процесса и в наибольшей степени определяют его успех.
 Применение резиста с высокой стойкостью к травлению гарантирует минимальное
   искажение изображения при переносе его в подложку. Практические пределы
   применимости процесса ЖХТ определяются его разрешением -1.5-2.0 мкм - и
                уходом размеров при травлении - (0.2-0.5 мкм.
                             Список литературы.

1.    Травление полупроводников [сборик статей]. Пер. с англ. С. Н.  Горина.
М.: Мир, 1965.

2.    Перри Дж. Справочник Инженера-химика/  Пер.  с  англ.  -  Т.2.  -  М.:
Химия, 1969.

3.    Полтавцев Ю. Г., Князев А.  С.  Технология  обработки  поверхностей  в
микроэлектронике. - Киев: Тэхника, 1990.

4.        Технология     полупроводниковых      приборов      и      изделий
микроэлектроники.[Учеб. для ПТУ: в 10 кн.]. - М: Высш. шк., 1989.

5.     Авдеев  Е.  В.,  Колтищенков  В.  М.,  Пантелеева  Т.  С.   Двумерное
топологическое модерирование травления//Электронная промышленность. - 1986.-
 №4.-С.14-17.

6.    Голосов В. В. Электрохимическое травление GaAs.  В  сб.:  Силовые  п/п
приборы. - Талин : Валгус, 1981.

7.     Васильева  Н.  А.,  Ерофеева  И.  Г.  Электрохимическое   полирование
подложек GaAs// Электронная промышленность. -1988.-№8.-С. 39-40.

8.    Киреев В. А. Краткий курс физической химии. М.: Химия, 1978.

Пред. 6

скачать работу

Отправка СМС бесплатно