Главная    Почта    Новости    Каталог    Одноклассники    Погода    Работа    Игры     Рефераты     Карты
  
по Казнету new!
по каталогу
в рефератах

Акустические свойства полупроводников

ространяется по кристаллу, создавая  электрическое  поле,  меняющееся  в
каждой точке кристалла с частотой звука ?І.  Поэтому  возникает  вопрос,  за
какое же время устанавливается статическая картина экранирования,  описанная
выше. Таким характерным временем является максвелловское время релаксации:

                                  ? = ?/4??

   Оно обратно пропорционально электропроводности ?, что  естественно:  ведь
именно  благодаря  процессам  электропроводности    электроны   проводимости
могут перераспределяться в пространстве.
  Если величина ?? мала,  то  за  период  звука  статическое  экранирование
успевает  установиться  почти   полностью,   и   картина   пространственного
распределения  электронов  мало  отличается  от  той,  которая  была  бы   в
статическом случае. При этом, как мы видели, потенциал ?  отличается  от  ?0
множителем (qR)2 [1 + (qR)2 ]-1. Такой же множитель  должен  появиться  и  в
слагаемом, описывающем вклад в скорость звука  за  счет  пьезоэлектрического
эффекта:

                    ? = ?0 [1 + ? (qR)2 /2 (1 + (qR)2 )]

   В обратном предельном случае, когда  ??  »1,  экранирование  не  успевает
установиться, и скорость звука в полупроводнике равна ?d.



                       2. ПОГЛОЩЕНИЕ И УСИЛЕНИЕ ЗВУКА

    При   распространении   бегущей   звуковой    волны    пространственное
распределение   электронов   стремится   следовать    за    пространственным
распределением  пьезоэлектрического  потенциала.  Соответственно  переменные
пьезоэлектрические поля порождают переменные  электронные  токи,  которые  и
«подстраивают» распределение  электронов  к  распределению  потенциала.  При
протекании этих токов в  проводнике  должно  выделяться  джоулево  тепло.  В
результате при распространении звука  механическая  энергия  звуковой  волны
переходит в энергию беспорядочного   теплового движения,  т.  е.  происходит
поглощение звука. Интенсивность поглощаемого звука изменяется по закону:

                          S (х) =S (0) ехр( - Гх),

где S(0)  —  интенсивность  «на  входе»  кристалла.  Величина  Г  называется
коэффициентом поглощения звука.
      Для  отношения   коэффициента  поглощения  звука  Г  к  величине   его
волнового вектора q можно получить следующее выражение:

              Г / q = ???/((1 + q2R2)2 + (??) 2)           (5)

  Частотной зависимости этого  выражения  можно  дать  следующее  наглядное
объяснение.
  Переменный   ток,   создаваемый   пьезоэлектрическим   почтем,   вызывает
перераспределение  свободных  зарядов.  Перераспределенные  заряды,  в  свою
очередь, создают добавочное электрическое поле.  Оно,  как  уже  говорилось,
направлено   противоположно   первоначальному   электрическому,   полю    и,
следовательно, приводит к уменьшению тока проводимости; ? и есть  то  время,
за которое происходит перераспределение свободных зарядов.  При  статической
деформации заряды перераспределяются и их  поле  компенсирует   (экранирует)
пьезоэлектрическое поле. таким образом, что ток становится равным нулю.

   Если деформация измеряется с частотой ?, которая  гораздо  меньше  1/  ?,
устанавливается почти полная компенсация. Точнее, поле  объемных  зарядов  в
случае   переменной   деформации,   создаваемой   звуком,   отличается    от
статического  поля  на  малую  величину,  пропорциональную  ??.  Поэтому   в
пьезоэлектрике протекает  переменный  ток,  пропорциональный  той  же  малой
величине ??. Соответственно коэффициент Г, определяемый квадратом  плотности
тока, оказывается пропорциональным ?2.
  В обратном предельном случае больших ?? поле объемных зарядов  за  период
звука  вообще  не  успевает  возникнуть.  Поэтому  при  ??  »1   коэффициент
пропорциональности между плотностью тока и электрическим  полем  оказывается
вообще независящим от частоты. Не зависит от частоты и коэффициент  Г.  Член
(??) 2 в знаменателе (5) и обеспечивает предельный переход от одного  случая
к другому. .   Наконец, при qR » 1  коэффициент  поглощения  быстро  убывает
при  увеличении  частоты.  Это  связано  с  тем  (уже   отмечавшимся   выше)
обстоятельством, что звуковая волна, длина которой  гораздо  меньше  радиуса
экранирования,  почти  не   вызывает   перераспределения   заряда   даже   в
статическом случае.
   Коэффициент  поглощения достигает максимального значения при частоте ?m =
?0/R,  т.  е.  когда  длина  волны  равна  2?R;  максимальное  значение  Гmo
коэффициента поглощения равно ?/4R.
   Характер  частотной  зависимости  коэффициента  поглощения   определяется
величиной ?m?. Если ?m? « 1, то максимум получается сравнительно острым.
  В  противоположном  предельною  случае  коэффициент   поглощения   растет
пропорционально ?2 вплоть  до  частот  порядка  1/?,  после  чего  его  рост
становится  очень  медленным.  Максимум  в  этом  случае  оказывается  более
пологим.  При  ?  »  ?m  коэффициент  поглощения  во  всех  случаях  убывает
пропорционально ?2. Семейство Г(?) при разных  значениях  ?m?  приведено  на
рис. 3.
   Интересно проследить характер зависимости коэффициента  поглощения  Г  от
электронной концентрации n0. Обычно проводимость ? пропорциональна n0:  ?  =
е n0?, где  ?  -  так  называемая  подвижность  электронов.  Таким  образом,
максвелловское  время  релаксации  ?  обратно  пропорционально  n0.   Радиус
экранирования R, как мы видели,  обратно  пропорционален  ?  n0  (см.  (4)).
Поэтому   при   малых   концентрациях   электронов   коэффициент   Г   прямо
пропорционален n0, а при больших - обратно  пропорционален  n0.  Существует,
таким образом, при любой частоте  (о  некоторая  промежуточная  концентрация
nw, при которой коэффициент Г максимален.
  Оценим коэффициент  поглощения  Г  для  какого-нибудь  типичного  случая.
Рассмотрим, например, поперечный звук в CdS, скорость которого ?0  =  1,8  х
105 см/с. Пусть n0 = 5 х 1012 см-3,  ? = 3 х 108 с-1, ? = 300  см2/Вс,  ?  =
0,036, ? = 9,4, Т=300 К. Тогда ? = 3,5 х 10-9 с, R= 1,6 х 10-4 см, q= 1,7  х
103 см-1, и мы получаем, что коэффициент Г составляет  около  30  см-1.  Это
означает, что на расстоянии в 1/30 ~ 0,03 см интенсивность звука затухает  в
с раз, т. е. теория предсказывает сильное  затухание  уже  при  таких  малых
концентрации и частоте.
  А теперь мы переходим, пожалуй, к самому интересному  вопросу  —  анализу
влияния электрического поля на поглощение  звука.  Представим  себе,  что  к
пьезоэлектрическому  полупроводнику,  в  котором  распространяется  звуковая
волна, приложено постоянное электрическое поле Е.
  Под влиянием постоянного  поля  Е  возмущения  электронной  концентрации,
созданные звуковой  волной, движутся со скоростью дрейфа электронов:


                                   V = ?E


  Чтобы в этом случае найти изменение электронной концентрации под влиянием
 переменного поля  звуковой  волны,  удобно  перейти  к  движущейся  системе
координат, скорость которой по отношению к кристаллической решетке равна  V.
В этой системе можно пользоваться выражениями для распределения  электронной
концентрации, полученными  в  отсутствие  постоянного  электрического  поля.
Нужно только учесть, что в силу эффекта Доплера частота звука  в  движущейся
системе координат изменяется и оказывается равной ? — qV, где q  —  волновой
вектор звука. В итоге в выражении (5) для отношения Г/q  следует  произвести
замену ? > ? - qV. Это дает:

               Г/q = ??(? – qV)?/?0((1 + q2R2) + (? – qV2)?2)

   В простейшем случае, когда направление распространения звука  параллельно
дрейфовой скорости, коэффициент поглощения обращается в нуль при V =  ?,  т.
е. когда дрейфовая скорость электронов становится равна скорости звука.  При
V > ? коэффициент поглощения меняет знак. При Г<0 плотность потока  звуковой
энергии изменяется по закону:

                    S(x)=S(0)exp (-Гх) = S(0) ехр (|Г|х).

т. е. поглощение звука сменяется его усилением.
  Зависимость коэффициента поглощения от  постоянного  электрического  поля
(точнее, от дрейфовой скорости электронов) приведена на рис. 4.  Видно,  что
кривая зависимости Г(V) антисимметрична относительно линии V  =  ?.  Отметим
еще  одно  важное  обстоятельство:  если  при   распространении   в   прямом
направлении (направлении дрейфа) звук усиливается, то при распространении  в
обратном направлении он обязательно затухает. Однако коэффициент  поглощения
при этом может быть меньше коэффициента усиления при прямом прохождении.

   При неизменной дрейфовой скорости  V  коэффициент  усиления  как  функция
частоты достигает максимума при ? = ?m как  и  в  случае  поглощения  звука.
Абсолютный  максимум  коэффициента  усиления  по  отношению  к  изменению  и
частоты и дрейфовой скорости при заданной концентрации равен опять-таки  Гmo
— максимальному значению коэффициента поглощения.
   В чем физическая основа усиления звука? Для того чтобы ответить  на  этот
вопрос, посмотрим на поглощение звука с несколько иной точки  зрения.  Можно
сказать,  что  поглощение   звука   определяется   фазовым   сдвигом   между
деформацией решетки ди/дх и пьезоэлектрическим полем Е.  В  пьезодиэлектрике
фазовый  сдвиг  отсутствует,  и  пьезоэлектрический  эффект  не  приводит  к
поглощению звука - он лишь изменяет эффективную жесткость решетки  (скорость
звука). В пьезополупроводнике   пьезоэлектрическое поле отстает по  фазе  от
деформации решетки. Соответствующий сдвиг фаз  пропорционален  ют;  этой  же
величине    пропорционален    коэффициент    поглощения.    При    включении
электрического поля возмущения концентрации электронов,  созданные  звуковой
волной, дрейфуют со скоростью V. Это приводит к  уменьшению  сдвига  фаз  и,
следовательно, к уменьшению поглощения. В более сильных электрических  полях
пьезоэлектрическое поле опережает  по  фазе  деформацию  решетки.  При  этом
происходит  передача  энергии  электрич
12345
скачать работу

Акустические свойства полупроводников

 

Отправка СМС бесплатно

На правах рекламы


ZERO.kz
 
Модератор сайта RESURS.KZ