Полупроводники, р-n переход
ет складываться из
примесной и собственной проводимости. При низких температурах преобладает
примесная, а при высоких — собственная проводимость.
P-N переход
Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью
полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или
кристаллическими) диодами и триодами. Полупроводниковые триоды называют
также транзисторами.
Полупроводниковые устройства можно подразделить на две группы: устройства
с точечными контактами и устройства с плоскостными контактами. Мы
ограничимся рассмотрением плоскостных диодов и транзисторов.
Основным элементом
плоскостных устройств является так называемый р—n-переход. Он представляет
собой тонкий слой на границе между двумя областями одного и того же
кристалла, отличающимися типом примесной проводимости. Для изготовления
такого перехода берут, например, монокристалл из очень чистого германия с
электронным механизмом проводимости (обусловленным ничтожными остатками
примесей). В вырезанную из кристалла тонкую пластинку вплавляют с одной
стороны кусочек индия. Во время этой операции, которая осуществляется в
вакууме или в атмосфере инертного газа, атомы индия диффундируют в германий
на некоторую глубину. В той области, в которую про
[pic]Рис.8
никают атомы индия, проводимость германия
становится дырочной. На границе этой области возникает р— n-переход.
На рис. 8 показан ход концентрации примесей в направлении,
перпендикулярном к граничному слою. В р-области основными носителями тока
являются дырки, образовавшиеся в результате захвата электронов атомами
примеси (акцепторы при этом становятся отрицательными ионами); кроме того,
в этой области имеется небольшое число неосновных носителей — электронов,
возникающих вследствие перевода тепловым движением электронов из валентной
зоны непосредственно в зону проводимости (этот процесс немного увеличивает
и число дырок). В n-области основные носители тока—электроны, отданные
донорами в зону проводимости (доноры при этом превращаются в положительные
ионы); происходящий за счет теплового движения переход электронов из
валентной зоны в зону проводимости приводит к образованию небольшого числа,
дырок — неосновных носителей для этой области. Диффундируя во встречных
направлениях через пограничный слой, дырки и электроны рекомбинируют друг
другом. Поэтому р—n-переход оказывается сильно обедненным носителями тока и
приобретает большое сопротивление. Одновременно на границе между областями
возникает двойной электрический слой, образованный отрицательными ионами
акцепторной примеси, заряд которых теперь не компенсируется дырками, и
положительными ионами- донорной примеси, заряд которых теперь не
компенсируется электронами {рис; 9; кружки—ионы, черные течки —
электроны, белые точки—дырки) . Электрическое поле
[pic]Рис.9
в этом слое направлено так, что противодействует
дальнейшему переходу через слой основных носителей. Равновесие достигается
при такой высоте потенциального барьера, при которой
[pic]Рис.10
уровни Ферми обеих областей располагаются на одинаковой высоте (рис. 10).
Изгибание энергетических зон в области перехода вызвано тем, что потенциал
р-области в состоянии равновесия ниже, чем потенциал n-области;
соответственно потенциальная энергия электрона в р-области больше, чем в n-
области. Нижняя граница валентной зоны дает ход потенциальной энергии
электрона Wpэ в направлении, перпендикулярном к переходу. Поскольку заряд
дырок противоположен заряду электронов, их потенциальная энергия Wрд больше
там, где меньше Wpэ, и наоборот.
Равновесие между р- и п-областями является подвижным. Некоторому
количеству основных носителей удается преодолеть потенциальный барьер,
вследствие чего через переход течет небольшой ток Iосн.
Этот ток компенсируется обусловленным неосновными носителями встречным
током Iнеосн. Неосновных носителей очень мало, но они легко проникают через
границу областей, «скатываясь» с потенциального барьера. Величина Iнeocн
определяется числом рождающихся ежесекундно неосновных носителей и от
высоты потенциального барьера почти не зависит. Величина Iосн, напротив,
сильно зависит от высоты барьера. Равновесие устанавливается как раз при
такой высоте потенциального барьера, при которой оба тока Iосн и Iнеосн
компенсируют друг друга. Подадим .на кристалл внешнее напряжение такого
направления, чтобы «+» был подключен к р-области, а «—» был подключен к n-
области) (такое напряжение называется прямым). Это приведет к возрастанию
потенциала (т.е. увеличению Wрд и уменьшению Wpэ) р-области и понижению
потенциала (т.е. уменьшению Wpд и увеличению Wpэ) n-области. В результате
высота потенциального барьера уменьшится и ток Iосн возрастет. Ток же
Iнеосн останется практически без изменений (он, как отмечалось, от высоты
барьера почти не зависит). Следовательно, результирующий ток станет отличен
от нуля. Понижение потенциального барьера пропорционально приложенному
напряжению (оно равно eU). При уменьшении высоты барьера ток основных
носителей, а следовательно и результирующий ток, быстро нарастает. Таким
образом, в направлении от p-области к n-области р — n-переход пропускает
ток, сила которого быстро нарастает при увеличении приложенного напряжения.
Это направление называется прямым (или пропускным, или проходным).
Возникающее в кристалле при прямом напряжении электрическое поле
«поджимает» основные носители к границе между областями, вследствие чего
ширина переходного слоя, обедненного носителями, сокращается.
Соответственно уменьшается и сопротивление перехода, причем тем сильнее,
чем больше напряжение. Таким образом, вольт-амперная характеристика в
пропускной области не является прямой (рис. 11).
[pic]Рис.11
Теперь приложим к кристаллу напряжение такого направления
чтобы «+»'был подключен к n-области, а «—» был подключен к р-
области (такое напряжение называется обратным). Обратное напряжение
приводит к повышению потенциального барьера и соответственному уменьшению
тока основных носителей Iосн. Возникающий при этом результирующий ток
(называемый обратным) довольно быстро достигает насыщения (т. е. перестает
зависеть от U, рис. 11) и становится равным iнеосн. Таким образом, в
направлении от n-области к р-области (которое называется обратным или
запорным) р — n-переход пропускает слабый ток, целиком обусловленный
неосновными носителями. Лишь при очень большом обратном напряжении сила-
тока начинает резко возрастать, что обусловлено электрическим пробоем
перехода. Каждый р—n-переход характеризуется своим предельным значением
обратного напряжения, которое он способен выдержать без разрушения. Поле,
возникающее в кристалле при наложении обратного напряжения; «оттягивает»
основные носители от границы между областями, что приводит к
возрастаниюширины переходного слоя,обедненного носителями. Соответственно
увеличивается и сопротивление перехода. Следовательно, р—n-переход
обладает в обратном направлении гораздо большим сопротивлением, чем в
прямом.
Из сказанного вытекает, что р — n-переход может быть
[pic]Рис.12
использован для выпрямления переменного тока. На рис. 12 показан график
тока, текущего через переход, в том случае, если приложенное напряжение
изменяется по гармоническому закону. В этом случае ширина слоя, обедненного
носителями, и сопротивление перехода пульсируют, изменяясь в такт с
изменениями напряжения.
Германиевые выпрямители могут выдерживать обратное напряжение до 1000 в.
При напряжении в 1 в плотность тока в прямом направлении достигает 100
а/см2, в обратном—не больше нескольких микроампер. Еще более высокое
обратное напряжение допускают кремниевые выпрямители. Они также выдерживают
более высокую рабочую температуру (до 180° С вместо примерно 100° С для
германия). Гораздо худшими параметрами обладают широко распространенные
селеновые выпрямители. Допустимое обратное напряжение составляет для них не
более 50 в, наибольшая плотность прямого тока до 50 ма/см2. Соединяя
последовательно N выпрямительных элементов (селеновых шайб), можно получить
выпрямитель, выдерживающий N-кратное обратное напряжение.
Полупроводниковый триод, или транзистор, представляет собой кристалл с
двумя р—n-переходами; В зависимости от порядка, в котором чередуются
области с разными типами проводимости, различают р—п—р- и n—p—га-
транзисторы). Средняя часть транзистора
(обладающая в зависимости от типа транзистора n- или р-проводимостью)
называется его базой. Прилегающие к базе с обеих сторон области с иным, чем
у нее, типом проводимости образуют эмиттер и коллeктор.
Рассмотрим кратко принцип работы транзистора типа
[pic]Рис.13
р—n—р (рис. 13). Для его изготовления берут пластинку из
очень чистого германия с электронной проводимостью и с обеих сторон
вплавляют в нее индий. Концентрация носителей в эмиттере и коллекторе, т.
е. в дырочной области, должна быть
[pic]Рис.14
больше, чем концентрация носителей в пределах базы, т. е. в электронной
области. На рис. 14, а даны кривые потенциальной энергии — электронов
(сплошная линия) и дырок (пунктирная линия).
На переход эмиттер — база подается напряжение в проходном направлении
(рис. 13), а на пеpеход база — коллектор
подается большее напряжение в запорном направлении. Это приводит к
понижению потенциального барьера на первом переходе и повышению барьера на
втором (рис. 14,6). Протекание тока в цепи эмиттера сопровождается
проникновением дырок в область базы (встречный поток электронов мал
вследствие того, что их
| |  скачать работу |
Полупроводники, р-n переход |
