Полупроводники, р-n переход
концентрация невелика). Проникнут в базу, дырки
диффундируют по направлению к коллектору. Если толщина базы небольшая,
почти все дырки, не успев рекомбинировать, будут достигать коллектора. В
нем они подхватываются полем и увеличивают ток, текущий в запорном
направлении в цепи коллектора. Всякое изменение тока в цепи эмиттера
приводит к изменению количества дырок, проникающих в коллектор и,
следовательно, к почти такому же изменению тока в цепи коллектора..
Очевидно, что изменение тока в цепи коллектора не превосходит изменения
тока в цепи эмиттера, так что, казалось бы, описанное устройство
бесполезно. Однако надо учесть, что переход имеет в запорном направлении
гораздо большее сопротивление, чем в проходном. Поэтому при одинаковых
изменениях токов изменения напряжения в цепи коллектора будут во много раз
больше, чем в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор усиливает напряжения
и мощности. Снимаемая с прибора повышенная мощность появляется за счет
источника тока, включенного в цепь
Германиевые транзисторы дают усиление (по напряжению и по мощности),
достигающее 10000.
| |  скачать работу |
Полупроводники, р-n переход |
