Вторично-ионная масса спектрометрия
ляется аберрациями оптики
анализатора вторичных ионов и хроматическими аберрациями, обусловленными
разбросом вторичных ионов по энергиям. Если улучшать разрешение введением
фильтра энергий, то снижается “светосила” прибора (число регистрируемых
вторичных ионов, приходящихся на одну первичную частицу). В масс-
спектралъных микроскопах достигнуто поверхностное разрешение ~1 мкм.
В приборах со сканирующим микрозондом поверхностное разрешение
ограничено диаметром первичного пучка, а потому определяется качеством
системы, фокусирующей первичный пучок. При высокой степени фокусировки
(пучки диаметром менее 1 мкм) значительный вклад в полный поток
первичных частиц, падающих на образец, может составить
несфокусированный компонент и, следовательно, должны быть приняты меры
для его устранения. Светосила прибора такого типа остается постоянной
при любом поверхностном разрешении, так как она определяется
анализатором вторичных ионов, а не размерами первичного пучка. В
микрозондовых приборах было достигнуто разрешение 1 - 2 мкм. Предельное
разрешение, которое можно надеяться получить в приборах с вторичной
ионной эмиссией, - порядка 100 А. Это ожидаемое значение -
физический предел, обусловленный характеристиками каскадов столкновений,
перемешиванием в приповерхностных слоях, вызываемым первичными ионами, и
средней глубиной выхода вторичных ионов. Однако практически из-за
ограниченной выходной интенсивности источника первичных ионов и
недостаточно высокого качества оптики электростатических линз нижний предел
размеров ионного пучка оказывается ~ 1000 А.
При одинаковом поверхностном разрешении и при одинаковых плотностях
первичного тока масс-спектральный микроскоп требует для получения ионного
изображения большой площади (например, 200 Х 200 мкм2) меньше времени, чем
сканирующий микрозонд. Дело в том, что в микроскопе информация собирается
одновременно от всех точек поверхности, а не последовательно от точки к
точке. Но если интересоваться малыми участками (20 Х 20 мкм2), то время
формирования изображения, получаемого при помощи микрозонда, оказывается
таким же, как и в масс-спектральном микроскопе, или даже меньшим. Это
объясняется большим усилением в регистрирующей системе микрозондовых
устройств (электронный умножитель и ЭЛТ с модуляцией яркости) и
сравнительно низкой чувствительностью фотоэмульсий, применяемых для
регистрации изображений.
При анализе малых площадей сканирующий микрозонд дает еще два
преимущества: меньше участок поверхности, испытывающий возмущение, а
изображение, получаемое на экране ЭЛТ, сразу же пригодно для анализа.
Требования к первичному ионному пучку
Первичный ионный пучок играет очень важную роль в приборах ВИМС;
поэтому целесообразно остановиться на некоторых желаемых характеристиках
пучка и системы его формирования, о которых ранее не говорилось. Эта
система должна создавать сфокусированный и стабильный пучок ионов инертного
газа (например, Аг+), а также положительных и отрицательных ионов
химически активного газа (например, О2+ и О-). Ионы активных газов нужны
при объемном анализе твердого тела, а при облучении отрицательными ионами
снижается роль зарядки поверхности.
Накопление заряда на поверхности зависит от рода первичных ионов, их
заряда, энергии и плотности тока, размеров облучаемой области, а также
проводимости и толщины слоя диэлектрика. Локальные изменения потенциала
поверхности могут вызывать ряд нежелательных эффектов: смещение пучка,
миграцию элементов в имплантированной зоне, а также изменение энергии
вторичных ионов и уменьшение эффективности их собирания вследствие
искажения вытягивающего ионы поля в непосредственной близости от
поверхности образца. Расчет влияния зарядки поверхности на траектории
вторичных ионов, выбиваемых из диэлектриков.
В ВИМС существует несколько способов уменьшения образования
положительного заряда на поверхности: облучение ее широким потоком
электронов, которые эмитируются расположенным неподалеку термокатодом,
облучение пучками отрицательных ионов, повышение давления кислорода
вблизи образца до 10-4 мм рт. ст. При исследовании объема диэлектриков (в
отличие от тонких диэлектрических пленок на проводнике) для эффективного
отбора вторичных ионов в анализатор необходимо создать между образцом и
электродом, вытягивающим вторичные ионы, надлежащий градиент электрического
поля. С этой целью на поверхность диэлектрика наносят проводящую пленку или
накладывают металлическую сетку.
Газоразрядные источники, используемые обычно для получения первичных
ионов, сильно повышают давление газов в объеме прибора; поэтому крайне
желательно предусмотреть дифференциальную откачку системы формирования
пучка. Сепарация первичных ионов по массам важна для очистки пучка, но не
только от инородных элементов, а и от молекулярных частиц, что необходимо
для определения характеристик каскадов столкновений и их влияния на
разрешение по глубине и перемешивание атомов в приповерхностном слое.
Кроме того, система формирования первичного пучка должна позволять
развертывать его в растр для однородного распределения первичного потока
по поверхности, что необходимо при изучении профилей концентрации
примеси. Наконец, при анализе микрообластей желательно иметь
возможность визуально наблюдать за поверхностью образца вблизи места
попадания ионного пучка посредством высококачественной оптической
системы с большим увеличением.
Масс-спектрометрический анализ нейтральных распыленных частиц
При распылении большинства материалов доля частиц, выходящих из
мишени в виде нейтральных атомов, значительно выше, чем выходящих в виде
ионов. Поэтому естественным развитием и дополнением ВИМС является метод
ионизации и последующего анализа выбитых нейтральных частиц. Такой метод
получил название масс-спектрометрии ионизованных нейтральных атомов. Одним
из его преимуществ является то, что нейтральные частицы можно ионизовать за
счет такого процесса, который, не зависит ни от матрицы, ни от свойств
поверхности образца. Основные же недостатки масс-спектрометрии
ионизованных нейтральных атомов - то, что ионизуются все частицы,
присутствующие в газовой среде прибора, а эффективность отбора
ионизованных частиц в анализатор значительно меньше, чем в ВИМС. Если
доля ионов среди выбитых вторичных частиц (A( превышает 10-4 (что
выполняется для большинства элементов и матриц), то масс-спектрометрия
ионизованных нейтральных атомов не может конкурировать с ВИМС по
абсолютной чувствительности SA(.
Нейтральные частицы, выбитые из мишени газовыми ионами из
разряда, ионизуются вслед за тем электронным ударом; путем перезарядки
или за счет пеннинговского процесса газоразрядной плазме.
Чувствительность метода и целесообразность его применения зависят от
эффективности отбора образовавшихся ионов и от того, оптимизованы ли
условия разряда так, чтобы вероятность ионизации анализируемых
нейтральных частиц была больше вероятности ионизации всех других частиц
газового разряда.
Исследование распыления и ионизации нейтральных атомов в
высокочастотном разряде в инертных газах показало, что такой метод имеет
практическую ценность. Разброс по энергиям, ионов, отбираемых из источника
с высокочастотным тлеющим разрядом, не превышает 1 эВ, и для их разделения
по массам эффективно использовать квадрупольный анализатор без
предварительного фильтра энергий. Установлено, что нейтральные атомы
ионизуются в основном за счет пеннинговского механизма. Эффективность
ионизации нейтральных частиц в этом случае лишь слабо зависит от природы
частиц и совсем не зависит (в противоположность методу ВИМС) от типа
матрицы и условий на поверхности образца. Следовательно, относительные
ионные сигналы с достаточно хорошим приближением равны относительным
концентрациям соответствующих элементов в матрице. При использовании
образцов с большой поверхностью ( ~10 см2) в этом приборе удалось
регистрировать атомные концентрации элементов на уровне 10-6. Типичные
значения скоростей распыления лежат в интервале от 10-2 до 10 моноатомных
слоев в секунду, причем с равным успехом могут анализироваться как
проводники, так и диэлектрики. Таким образом, не давая сведений о
распределении вещества по поверхности, метод масс-спектрометрии
тлеющего разряда позволяет определять химический состав поверхности и
объема, а также дает возможность измерять распределение элемента по
глубине. Метод имеет ряд привлекательных особенностей, которые делают
целесообразным его дальнейшее развитие.
Количественный анализ
Коэффициент вторичной ионной эмиссии SA( зависит от целого ряда
факторов, таких, как состояние поверхности образца, природа его
матрицы, и различных эффектов, вызываемых первичным пучком.
Следовательно, сопоставление интенсивностей вторичных ионов данного
элемента из различных точек поверхности образца не всегда
непосредственно отражает распределение этого элемента по
поверхности. При оценке такого
| |  скачать работу |
Вторично-ионная масса спектрометрия |
