Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава
Другие рефераты
В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния
термодефектов используются методы пассивного геттерирования примесей в
пластинах. К таким методам относятся "внешнее геттсрирование" - нанесение
внешних покрытий (поликремния, Si-,N^, переходных металлов) или
механических повреждений на нерабочую сторону кремниевой пластины и
"внутреннее геттерирование" — намеренное обеспечение путем термообработок
выделений второй фазы Si0,, на которых адсорбируются микродефекты, примеси
тяжелых и щелочных металлов. Однако в результате таких воздействий на
пластины ухудшаются механические свойства, что особенно заметно на
подложках диаметром 100 и более миллиметров.
Процесс образования геттерирующей зоны происходит в несколько стадий, при
этом самая высокая температура термообработки (ТО) не превышает lOOO^C, в
то время как многоступенчатая технология изготовления ИС включает более
высокотемпературные операции, например диффузию, эпитаксию. Известно, что
при температурах выше 1000°С кислород из выделений вновь переходит в
состояние твердого раствора, и при последующих термоциклах (430-500 и 600-
800^0 опять появляются доноры, разрушаются комплексы примесей и
микродефектов, что, в свою очередь, приводит к нарушению термостабильности,
снижению выхода годных, увеличению отказов.
Активное воздействие на дефекты и примеси предполагает легирование
монокристаллов в процессе их выращивания добавками, оказывающими влияние на
свойства, состав расплава и твердого тела. При этом легирующий компонент
должен удовлетворять следующим требованиям:
— коэффициент распределения, значительно отличающийся от единицы;
— эффективное изменение коэффициента распределения удаляемых примесей;
— отсутствие вредного влияния атомов "геттера" на свойства
полупроводника.
Использование в качестве геттера водорода, предложенное Декоком, не нашло
применения в промышленности, так как водород в процессе отжига удаляется из
кристалла, вновь освобождая кислород и оставляя после себя напряженные
участки кристаллической решетки.
Добавление в кремний изоморфных примесей (Ge, Pb, Sn) сказывается лишь на
кинетике образования термодоноров, при этом сохраняется зависимость их
поведения от температуры.
Легирование металлами, изобарный потенциал реакции окисления которых
больше, чем изобарный потенциал окисления кремния при температуре его
плавления, дает возможность связывать кислород и порождаемые им
термодефекты. Для этой цели могут быть выбраны примеси, образующие с
кислородом более химически и термически стойкие оксиды, чем Si0^, которые к
тому же электронейтральны в кремнии. Такими примесями являются
щелочноземельные металлы (Mg, Са, Sr, Ва), электрически нейтральные
вследствие образования с кремнием полупроводниковых соединений с
ковалентной связью [1,2], и переходные металлы IV группы (Ti, Zr, Hf),
нейтральные по причине сходства строения электронных оболочек их атомов с
атомами кремния и также образующие стехиометрические фазы с кремнием.
Экспериментальные данные показывают, что при добавлении этих металлов в
расплав кислород связывается в жидком кремнии в прочные комплексы,
содержащие атомы кремния и кислорода, коэффициент распределения которых
гораздо меньше, чем у кислорода, который не связан в комплексы. В
результате введения примесей -геттеров содержание кислорода в выращенных
методом Чохральского монокристаллах может быть снижено до 2-10^ 7 смЗ .
Характер распределения Ti, Zr и Hf в монокристаллах вдоль оси роста
аналогичен наблюдавшемуся ранее для щелочноземельных металлов в германии и
кремнии, а также для примеси хрома в арсениде галлия. Методами химико-
спектрального и активационного анализов, методом радиоактивных индикаторов
(для циркония и гафния) показано, что в начальной части формируется
концентрационный профиль со снижением концентрации, затем переходная
область, за которой следует область нарастания концентрации вплоть до
выпадения второй фазы. Распределение примесей-геттеров, а также уровень их
концентрации в твердой фазе свидетельствует о том, что их взаимодействие с
кислородом происходит в расплаве с последующим распределением атомов
металла, связанного и не связанного с кислородом, с различными
коэффициентами сегрегации. Более высокая концентрация примеси в начале
слитка по сравнению со средней его частью противоречит диаграммам состояния
кремний-титан (цирконий, гафний), имеющим эвтектический переход,
соответственно которому элементы IV группы должны иметь коэффициент
распределения меньше единицы. Отсутствие зависимости характера
распределения от условий -перемешивания расплава подтверждает данные о
взаимодействии примесей с кислородом. Следствием такого взаимодействия
является различное поведение растворенного металла при кристаллизации
кремния. Образуя комплексы, соответствующие соединениям с высокой
температурой плавления и прочными химическими связями, примесь металла IV-B
может иметь коэффициент распределения больше единицы. Коэффициенты
распределения титана, циркония и гафния, не связанных с кислородом, меньше
единицы, и эти металлы оттесняются в конечную часть слитка. Снижение
содержания кислорода в монокристаллах, выращенных методом Чохральского с
добавкой геттера, по сравнению с обычными монокристаллами подтверждает факт
взаимодействия этих примесей в расплаве. Источником обнаруженного оптически
активного кислорода, по-видимому, служит тигель (Si0,).
Физическая модель процесса
внутреннего геттерированияв кремниевой
технологии .
Как известно, металлические примеси Au, Fe, Ni, Си и другие приводят к
возникновению генерационно-рекомбинационных центров в активных областях
приборов на основе кремния, что в свою очередь вызывает деградацию свойств
приборов. Совокупность технологических приемов, позволяющих снизить
концентрацию таких центров, локализуя их вблизи преципитатов Si0x (xw2),
расположенных вдали от активных областей приборов, называется методом
внутреннего геттерирования (ВГ)..
По технологии ВГ накоплен обширный фактический материал, однако
физические принципы его механизма в настоящее время окончательно не
установлены [1, 2). Широкое распространение, например, получили
представления о том, что центрами геттерирования являются дислокации и
дефекты упаковки, возникающие вследствие релаксации упругих полей и
пересыщения по межузельному кремнию в процессе преципитации кислорода при
Г>700°С. Однако эти представления не являются универсальными, что было
доказано рядом исследований. Так, в работе [3) показано, что в ряде случаев
эффект геттерирования проявляется и в отсутствие дислокаций и дефектов
упаковки, при этом сам кислородный преципитат является геттером. Другие
авторы [41 обнаружили гексагональные и ромбические дислокационные петли в
отсутствие кислородных преципитатов, на основании чего сделано
предположение о том, что дислокационные петли возникают при
высокотемпературном отжиге вследствие растворения преципитатов,
образовавшихся ранее во. время низкотемпературного отжига.
В данной работе представлены результаты исследований физических
закономерностей процесса ВГ, выполненных на кафедре общей физики МИЭТ, в
которых развита модель дальнодействующего механизма взаимодействия примесь-
центр геттерирования. Рассмотрена модель комплекса примесь-точечный дефект,
рассчитаны параметры таких комплексов и найдено их неоднородное
распределение в упругом поле преципитата. Представлена также диффузионная
модель ВГ на основе взаимодействия дипольных комплексов с кислородным
преципитатом.
Комплексы примесь-точечный дефект и их неоднородное распределение
вблизи центра гетгерировання
Принципиальное отличие упругого взаимодействия примеси с дислокацией от
взаимодействия со сферическим геттером проявляется в том, что упругое поле
последнего характеризуется чисто сдвиговой деформацией и энергия упругого
взаимодействия равна нулю :
[pic]
где К — модуль всестороннего сжатия материала среды, (o — изменение объема,
обусловленное примесным атомом, (ii —дилатация упругого поля центра.
Поэтому в условиях отсутствия ди-латацнонного взаимодействия и наличия
пересыщения по собственным дефектам дальнодейст-вующий механизм упругого
взаимодействия может быть реализован взаимодействием диполь-ного типа.
Дипольные свойства примесного атома могут быть реализованы в случае
образования комплекса из двух точечных дефектов: атом примеси—собственный
точечный дефект или атом примеси—атом другой примеси.
Количественной мерой взаимодействия комплекса точечных дефектов с упругим
полем центра дилатации является тетрагональность поля упругих искажений,
создаваемых комплексом. В рамках континуальной теории упругости энергия
точечного дефекта в поле (ii задается выражением:
[pic]
Тензор (ij, называемый тензором объемных деформаций, полностью
характеризует упругие свойства точечного дефекта. Для упругого диполя с
осевой симметрией он имеет вид :
[pic]
ni и nj — направляющие косинусы оси симметрии диполя.
Для последовательного .количес
| |  скачать работу |
Другие рефераты
| 
