Главная    Почта    Новости    Каталог    Одноклассники    Погода    Работа    Игры     Рефераты     Карты
  
по Казнету new!
по каталогу
в рефератах

Упрощённая кинетическая модель XeCl* лазера



 Другие рефераты
Ультразвук и его применение Ультразвук и инфразвук Упругие волны Упругий и неупругий удар двух однородных шаров

Министерство образования Республики Беларусь

                           УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ
                  «ГРОДНЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
                             ИМЕНИ ЯНКИ КУПАЛЫ»

                        Физико-технический факультет

                 Кафедра  “Лазерной физики и спектроскопии”



                       Упрощённая кинетическая модель
                                XeCl*- лазера



                                            Курсовая работа студента физико-
                                            технического факультета ГрГУ 4
                                            курса Перлухина В.Н.
                                             Научный руководитель: ст.
                                            препод. кафедры лазерной физики
                                            и спектроскопии      Володенков
                                            А.П.



Допущен к защите


Зав. кафедрой, доктор физ.-мат. наук, профессор    ______  Ануфрик С.С.



                                Гродно  2004
УДК



   Реферат курсовой дипломной работы «Упрощённая кинетическая модель  XeCl*-
лазера»   студента   физико-технического    факультета    УО    «Гродненский
государственный   университет   имени   Янки   Купалы»   Перлухина   Валерия
Николаевича.
 Объем :  страниц 21,  рисунков 2,  таблиц  1,  литературных  источников  7,
формул 32.

Ключевые  слова:   кинетическая   модель,   XeCl*-МОЛЕКУЛА,   ПРЕДЫОНИЗАЦИЯ,
ПРИЛИПАНИЕ, ИОНИЗАЦИЯ
      Объект исследования  –   методики  теоретических  и  экспериментальных
исследований кинетики образования  эксимерных XeCl-молекул.
      Цель настоящей работы –  ознакомление  с  простейшими  математическими
моделями кинетики образования эксимерных молекул и  методами  теоретического
и   экспериментального   исследования   оптимальных   условий    возбуждения
электроразрядных эксимерных лазеров.
    В данной курсовой  работе  рассмотрены  каналы  образования  эксимерных
молекул,  кинетика  образования  эксимерных  XeCl  молекул,  её   упрощённая
модель,  что  является  теоретической   основой   для   дальнейшей   научно-
исследовательской деятельности.



                                 Содержание


Введение
                                        4
1.         Принципы         образования          эксимерных          молекул
        5
1.1.                           Эксимерные                           молекулы
                            5
1.2.                            Эксимерные                            лазеры
                                7
2.      Кинетика       образования       эксимерных       XeCl       молекул
      8
2.1.           Прилипание           электронов           в           разряде
                    8
2.2.       Автораспадные        состояния        двухатомных        молекул.
     9
2.3 Кинетика процессов, происходящих в эксимерных XeCl лазерах      14
2.4. Упрощенная модель кинетики образования XeCl молекул                18
Заключение
                                         20
Литература
                                          21



                                  Введение

      Одним из определяющих факторов, которые оказывают  влияние  на  работу
электроразрядных  эксимерных  лазеров  и  эксиламп,  является  предыонизация
активной среды. Она оказывает существенное влияние на устойчивость  разряда,
его однородность, длительность объемной стадии.  Она  во  многом  определяет
пробой  межэлектродного  промежутка  и   дальнейшую   кинетику   образования
эксимерных молекул. В настоящее время эксимерные лазеры и  эксилампы  широко
используются  в  фотохимии,  микроэлектронике   и   многих   технологических
процессах. Это стало возможным,  благодаря  успехам  в  изучении  процессов,
происходящих  в  активных  средах  и  в   создании   практических   образцов
источников излучения. Эксилампы работают в более широком диапазоне  давлений
и напряжений, чем  эксимерные  лазеры.  Поэтому,  задача  изучения  кинетики
образования  эксимерных  молекул  и  процессов,   происходящих   в   разряде
актуальна.  В  представленной  ниже  курсовой   работе   изложены   принципы
образования эксимерных молекул, а также работы эксимерных лазеров.



                  1.Принципы образования эксимерных молекул

                           1.1.Эксимерные молекулы


     Это  молекулы,  существующие  только  в  возбужденном  состоянии.   Как
известно, атомы благородных газов не  образуют  химических  соединений.  Это
свойство объясняют тем,  что  атомы  данного  типа  не  имеют  электрона  на
незаполненных  оболочках,  который  мог   бы   составить   пару   электрону,
принадлежащему другому атому, с противоположно направленным спином.  Наличие
подобной пары является одним из условий образования  ковалентной  химической
связи, объясняющей существование стабильного химического соединения.
   В случае, если атом благородного газа находится в возбужденном состоянии,
данное  препятствие  снимается,  поскольку  при   этом   имеется   электрон,
занимающий одну  из  незаполненных  оболочек  атома.  Этот  электрон  может,
вообще говоря,  составить  пару  своему  собрату,  имеющему  противоположное
направление  спина  и  принадлежащему  другому  атому.  В  результате  между
атомами возникает взаимодействие, соответствующее притяжению, что  открывает
возможность образования молекулы, одним  из  атомов  которой  является  атом
благородного газа. Именно такая молекула и носит название эксимерной.
   Эксимерная молекула,  потенциальная  энергия  которой  превышает  энергию
основного  состояния,  не   может   существовать   бесконечно   долго.   Она
распадается за  времена  порядка  нескольких  наносекунд,  излучая  световой
квант.   Под   действием   отталкивания   атомы   быстро    разлетаются    в
противоположных направлениях.
   Несмотря на непродолжительное время жизни, эксимерная молекула имеет  все
признаки   химического   соединения.   Она   обладает    колебательными    и
вращательными степенями свободы,  которые  характеризуются  соответствующими
системами энергетических  состояний.  Она  способна  вступать  в  химические
реакции. Однако главная особенность эксимерных молекул состоит  в  том,  что
они  представляют  собой  готовую  активную  среду,   которая   может   быть
использована в качестве основы для создания мощного  лазера.  Лазеры  такого
типа,   получившие   название   эксимерных,   составляют   группу   наиболее
интенсивных газовых лазеров ультрафиолетового диапазона.



                            1.2.Эксимерные лазеры
   Эксимерные лазеры - это  группа  лазеров,  в  которых  типичной  активной
средой является смесь инертного  и  галогенового  газов.  Термин  'Эксимер'-
аббревиатура  английского   словосочетания   exited   dimers   (возбуждённые
димеры), что означает нестабильное, существующее только в возбуждённом
электронном состоянии димеров этих газов. При переходе эксимерных молекул  в
основное  состояние  испускаются  высокоэнергетичные  фотоны  УФ-света.  При
различных комбинациях инертного  и  галогенового  газов  ЭЛ  могут  излучать
короткие (наносекундные) импульсы света на различных длинах волн  УФ-области
спектра: фтор - 157 нм, аргон-фтор - 193 нм, криптон-хлор - 222 нм, криптон-
фтор - 248 нм, ксенон-хлор - 308 нм,  ксенон-фтор  -  351  нм.  Длительность
импульса - 10 -16 нс.
    Они используются для накачки лазеров на  красителях  (лучших  источников
перестраиваемого  когерентного  излучения  видимого  диапазона),   травление
кремневых  матриц  при  обработке  материалов   высокой   степени   частоты,
разделения изотопов.  Перестраиваемое  излучение  эксимерных  лазеров  может
использоваться для получения особо чистых веществ, для изучения  воздействия
на биохимические процессы. Но основное применение эксимерных лазеров  –  это
возможность их использования  для  поиска  качественно  новых  эффектов,  не
достижимых с обычными источниками света, для детального изучения  нелинейных
спектроскопических явлений,  тонкострунных  спектров  сложных  молекул,  для
исследования лазерно-индуцированных процессов.



               2.Кинетика образования эксимерных XeCl* молекул
                     2.1.Прилипание электронов в разряде

    Процессы  прилипания  электрона  к  атомным   системам   -   молекулам,
кластерам, поверхностям -  носят  резонансный  характер  и  протекают  через
образование автораспадных состояний полной системы. В  связи  с  резонансной
природой такие процессы характеризуются большими сечениями  или  константами
скоростей и поэтому представляют интерес для  различных  плазменных  систем.
Они используются в системах  электрической  защиты,  где  небольшие  примеси
электроотрицательных молекул  предотвращают  электрический  пробой.  Процесс
прилипания  электрона  используется  в  эксимерных   лазерах   для   быстрой
генерации атомов фтора и хлора из различных галогенсодержащих молекул.
    Общая  концепция  процесса  прилипания  электрона   связывает   его   с
образованием автораспадного  состояния  отрицательного  иона  в  результате
захвата электрона  молекулой.  Последующая  эволюция  этого  автораспадного
состояния может привести к разным  процессам,  включающим  как  диссоциацию
данной системы с образованием  отрицательного  иона,  так  и  распад  этого
состояния, сопровождающийся освобождением электрона и возбуждением  атомной
системы. Тем самым прилипание  электрона  связано  с  другими  резонансными
процессами упругого и неупругого рассеяния электрона молекулой, причем  эти
процессы протекают через образование автораспадного состояния -  связанного
состояния электрона и молекулы, уровень которого расположен  в  непрерывном
спектре.



              2.2. Автораспадные состояния двухатомных молекул
    Процесс  прилипания  э
123
скачать работу


 Другие рефераты
Личность Сталина
Туристтік ұйымдардың түрлері
Азот
Мемлекеттік бюджет


 

Отправка СМС бесплатно

На правах рекламы


ZERO.kz
 
Модератор сайта RESURS.KZ