Главная    Почта    Новости    Каталог    Одноклассники    Погода    Работа    Игры     Рефераты     Карты
  
по Казнету new!
по каталогу
в рефератах

Архитектура Flash-памяти



 Другие рефераты
Петр Первый Великий Петр Первый, его наружность, привычки, образ жизни и характер Петр Первый: политические, социально-экономические и культурные преобразования Архитектура микропроцессоров

Министерство науки и образования Украины
              Институт социального управления экономики и права
               Кафедра специализированных компьютерных систем



                            Пояснительная записка


                               ІСУЕП 04254.009


                            до курсового проекта
                       с дисциплины: «Архитектура ЭВМ»
                                  на тему:
                         «Архитектура Flash-памяти»



|Проверил:                                |Подготовил:                       |
|проф.                                    |студент III курса                 |
|Романкевич О.М.                          |группы КС-14                      |
|ст.  преп.                               |Крывонижко К.Н.                   |
|Рудаков К.С.                             |                                  |


 _____________
           (оценка)
«___» ________
              «___» ________
 _____________
               _____________
           (подпись)
                        (подпись)



                              г. Черкассы 2004

                                 Содержание


    1. Введение  3-4
    1. Что такое flash-
       память?..............................................................
       ......5-9
    2. Организация flash-памяти…………………………………………10-14
    3. Архитектура флэш-памяти………………………………………..14-18
    4. Карты памяти (флэш-карты)………………………………………19-28
   1.   Вывод………………………………………………………………..29
    2.
       Литература............................................................
       ..............................30



                                 1.Введение
    Технология флэш-памяти появилась около 20-ти лет назад.  В  конце  80-х
годов  прошлого  столетия  флэш-память  начали   использовать   в   качестве
альтернативы UV-EPROM. С этого момента интерес к флэш-памяти с каждым  годом
неуклонно  возрастает.  Внимание,  которое  уделяется  флэш-памяти,   вполне
объяснимо – ведь это самый быстрорастущий сегмент полупроводникового  рынка.
Ежегодно рынок флэш-памяти растет более чем на 15%, что превышает  суммарный
рост всей остальной полупроводниковой индустрии.
    Сегодня флэш-память можно найти в самых разных цифровых устройствах. Её
используют в качестве носителя микропрограмм для микроконтроллеров HDD и CD-
ROM, для хранения BIOS  в  ПК.  Флэш-память  используют  в  принтерах,  КПК,
видеоплатах, роутерах, брандмауэрах, сотовых телефонах,  электронных  часах,
записных  книжках,  телевизорах,  кондиционерах,   микроволновых   печах   и
стиральных машинах... список можно  продолжать  бесконечно.  А  в  последние
годы флэш становится основным типом сменной памяти, используемой в  цифровых
мультимедийных устройствах, таких как mp3-плееры и игровые приставки. А  все
это стало возможным благодаря  созданию  компактных  и  мощных  процессоров.
Однако при покупке  какого-либо  устройства,  помещающегося  в  кармане,  не
стоит ориентироваться лишь на  процессорную  мощность,  поскольку  в  списке
приоритетов она стоит далеко не на первом месте.
    Начало этому было положено в 1997 году, когда флэш-карты впервые  стали
использовать в цифровых фотокамерах.
    При выборе портативных устройств самое важное, на мой  взгляд  -  время
автономной работы при разумных массе и размерах элемента питания. Во  многом
это  от  памяти,  которая  определяет  объем  сохраненного   материала,   и,
продолжительность работы без подзарядки аккумуляторов. Возможность  хранения
информации в карманных устройствах ограничивается скромными  энергоресурсами
Память, обычно используемая в ОЗУ  компьютеров,  требует  постоянной  подачи
напряжения.  Дисковые  накопители   могут   сохранять   информацию   и   без
непрерывной подачи  электричества,  зато  при  записи  и  считывании  данных
тратят  его  за   троих.   Хорошим   выходом   оказалась   флэш-память,   не
разряжающаяся   самопроизвольно.   Носители   на   ее   основе    называются
твердотельными, поскольку не имеют движущихся  частей.  К  сожалению,  флэш-
память - дорогое удовольствие: средняя стоимость ее мегабайта  составляет  2
доллара, что в восемь раз выше, чем у SDRAM, не говоря уж о жестких  дисках.
А  вот  отсутствие  движущихся  частей  повышает   надежность   флэш-памяти:
стандартные рабочие перегрузки  равняются  15  g,  а  кратковременные  могут
достигать 2000 g, т. е. теоретически карта должна превосходно  работать  при
максимально  возможных  космических  перегрузках,  и  выдержать  падения   с
трёхметровой высоты. Причем в таких условиях гарантируется  функционирование
карты до 100 лет.
Многие производители вычислительной техники видят память будущего
исключительно твердотелой. Следствием этого стало практически одновременное
появление на рынке комплектующих нескольких стандартов флэш-памяти.
2.Что такое flash-память?
    Флэш-память   -   особый   вид    энергонезависимой    перезаписываемой
полупроводниковой памяти.
        .  Энергонезависимая  -  не  требующая  дополнительной  энергии  для
          хранения данных (энергия требуется только для записи).
        . Перезаписываемая - допускающая изменение (перезапись)  хранимых  в
          ней данных.
        . Полупроводниковая  (твердотельная)  -  не  содержащая  механически
          движущихся частей (как обычные жёсткие диски или CD),  построенная
          на основе интегральных микросхем (IC-Chip).
    В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-
памяти не содержит  конденсаторов  –  типичная  ячейка  флэш-памяти  состоит
всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры.  Ячейка  флэш-памяти
прекрасно масштабируется, что достигается  не  только  благодаря  успехам  в
миниатюризации  размеров  транзисторов,  но   и   благодаря   конструктивным
находкам, позволяющим в  одной  ячейке  флэш-памяти  хранить  несколько  бит
информации. Флэш-память исторически происходит от  ROM  (Read  Only  Memory)
памяти, и функционирует подобно RAM  (Random  Access  Memory).  Данные  флэш
хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие  от  DRAM,  при
отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают. Замены памяти SRAM  и
DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух  особенностей  флэш-памяти:  флэш
работает существенно медленнее и  имеет  ограничение  по  количеству  циклов
перезаписи    (от    10.000    до    1.000.000    для     разных     типов).
Надёжность/долговечность:  информация,  записанная  на  флэш-память,   может
храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна  выдерживать
значительные  механические  нагрузки  (в  5-10  раз  превышающие   предельно
допустимые для обычных жёстких дисков).  Основное  преимущество  флэш-памяти
перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в  том,  что  флэш-память
потребляет значительно (примерно в 10-20 и  более  раз)  меньше  энергии  во
время работы. В  устройствах  CD-ROM,  жёстких  дисках,  кассетах  и  других
механических  носителях  информации,  большая  часть   энергии   уходит   на
приведение в движение  механики  этих  устройств.  Кроме  того,  флэш-память
компактнее   большинства   других   механических   носителей.    Флэш-память
исторически произошла  от  полупроводникового  ROM,  однако  ROM-памятью  не
является,  а  всего  лишь  имеет  похожую  на  ROM  организацию.   Множество
источников (как отечественных, так и зарубежных) зачастую  ошибочно  относят
флэш-память к ROM. Флэш никак не может быть ROM  хотя  бы  потому,  что  ROM
(Read Only Memory) переводится как "память только для чтения".  Ни  о  какой
возможности перезаписи в ROM речи быть  не  может!   Небольшая,  по  началу,
неточность не обращала на себя  внимания,  однако  с  развитием  технологий,
когда флэш-память стала выдерживать  до  1  миллиона  циклов  перезаписи,  и
стала использоваться  как  накопитель  общего  назначения,  этот  недочет  в
классификации  начал  бросаться  в  глаза.  Среди  полупроводниковой  памяти
только два типа относятся к "чистому" ROM - это Mask-ROM и PROM.  В  отличие
от  них  EPROM,  EEPROM  и  Flash  относятся  к   классу   энергонезависимой
перезаписываемой памяти  (английский  эквивалент  -  nonvolatile  read-write
memory или NVRWM).
ROM:
    . ROM (Read Only Memory) - память только для чтения. Русский эквивалент
      - ПЗУ (Постоянно Запоминающее Устройство). Если быть совсем точным,
      данный вид памяти называется Mask-ROM (Масочные ПЗУ). Память устроена
      в виде адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка которого
      может кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во
      время производства путём нанесения по маске (отсюда и название)
      алюминиевых соединительных дорожек литографическим способом. Наличие
      или отсутствие в соответствующем месте такой дорожки кодировало "0"
      или "1". Mask-ROM отличается сложностью модификации содержимого
      (только путем изготовления новых микросхем), а также длительностью
      производственного цикла (4-8 недель). Поэтому, а также в связи с тем,
      что современное программное обеспечение зачастую имеет много
      недоработок и часто требует обновления, данный тип памяти не получил
      широкого распространения.

      Преимущества:

      1. Низкая стоимость готовой запрограммированной микросхемы (при
 
12345След.
скачать работу


 Другие рефераты
Страхи и тревожность
Концепция разделения властей
Новаторство драматургии Чехова
Деловая стратегия


 

Отправка СМС бесплатно

На правах рекламы


ZERO.kz
 
Модератор сайта RESURS.KZ